理研、高品質/高アスペクト比のTSVを作製する技術を開発

理化学研究所(理研)は、フェムト秒ベッセルビームを用いて、高品質かつ高アスペクト比のシリコン貫通ビア(TSV)を作製する技術を開発したと発表した。
同成果は、理研 光量子工学研究領域 理研-SIOM連

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