SiCパワー半導体を10倍に高性能化する製造方法を東工大などが開発

東京工業大学(東工大)は9月4日、SiC半導体で20年以上にわたって課題となっていた欠陥の数を従来比で1桁低減させ、約10倍の高性能化を実現する手法を開発したと発表した。SK Hynixが車載メモリ事

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