産総研、シリコンを超えるGaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスターの動作実証に成功

産業技術総合研究所（産総研）は12月12日、窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスターと、炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードを一体化したハイブリッド型トランジスターの製作と動作実

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