産総研、窒化物半導体の薄膜結晶形成に向けた新たな気相成長技術を開発

●窒化物半導体の高品質薄膜形成における課題NTT、次世代パワーデバイス「AlNトランジスタ」の動作に成功
産業技術総合研究所(産総研)は4月27日、窒化物半導体、特に「窒化インジウム」(InN)や、イ

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