完全分離型NチャンネルLDMOSを開発=東芝〔BW〕

【ビジネスワイヤ】東芝は、０．１３μｍ世代のアナログパワー半導体向けに高いＨＢＭ（人体帯電モデル）耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型ＮチャンネルＬＤＭＯＳ（横方向拡散金属酸化膜半導体）トランジスター

リンク元