容量・転送速度とも50%以上向上したAI処理向け12層メモリ、Samsung「HBM3E 12H」発表 ガジェット総合 2024.02.28 TC NCF技術により厚さは従来の8層モデルと同等 Samsung Electronics Co., Ltd,(本社:韓国)は2024年2月27日(現地時間)、業界初となる12層HBM3Eメモリ「HBリンク元
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