産総研、100nAで動作するReRAMの挙動を解明

産業技術総合研究所(産総研)は1月13日、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発し、不揮発性メモリとして研究開発が進められている抵抗変化メモリ(ReRAM)が100nAの消費電力で動作する際の挙

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