東大、光照射した極低温の半導体において異常な金属状態を確認

東京大学(東大)は2月8日、光照射した極低温の半導体の絶縁体から金属への転移(励起子モット転移)の境界領域において、異常な金属状態が発現することを発見したと発表した。
同成果は、同大低温センター・大

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