産総研、Irスペーサー層の採用で大容量MRAMに求められる性能を実現

産業技術総合研究所(産総研)は、次世代メモリの1つとして期待されるMRAMの参照層にイリジウム(Ir)を用いたスペーサー層を用いることで、大容量MRAMに求められる性能を達成したと発表した。
同成果

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