JSTと東大生研、半導体デバイスの放熱問題を緩和する第4の放熱機構を確認

科学技術振興機構(JST)と東京大学 生産技術研究所(東大生研)は10月1日、光と「フォノン」の混合状態である「表面フォノンポラリトン」を用いて「窒化シリコン薄膜」の熱伝導率を倍増させることに成功した

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