構造の2D⇔3D切り替えで電気抵抗率が3桁変化する材料を東工大が開発

2017-08-24_00h03_35 IT総合
東京工業大学(東工大)は3月22日、2次元構造と3次元構造を人為的に制御することで、電気抵抗率を3桁変化する新材料を開発したと発表した。フォークボールが落ちるのは「負のマグヌス効果」のため、東工大など

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