産総研、MRAM用記憶素子のシリコンLSIへの集積化技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)は6月1日、300mmウェハ上に不揮発性メモリ「MRAM」の単結晶記憶素子を製造する技術を開発したこと、ならびに、それをシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した

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