産総研、タンタル層の挿入で「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を改善

2017-08-24_00h03_35 IT総合
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。東北大、1桁nm世代のプロセ

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