京大、SiC半導体により350°Cでも動作する集積回路の基本動作実証に成功

京都大学(京大)は、SiC半導体の集積回路を用いてSi半導体の集積回路では動作不可能な350℃という高温環境における基本動作の実証に成功したことを発表した。
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