GaN系微小光源（短共振器レーザー・マイクロLED）の独自の基板と工法を開発

※Si(シリコン)基板上に形成した100um（マイクロメートル）以下のGaN系端面発光レーザーにおいて（2022年9月京セラ調べ）<br />
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京セラ株式会社（代

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