サムコ、SiC/GaNパワー半導体などの研究開発用プラズマALD装置を発表

半導体製造装置メーカーのサムコは、SiCやGaNを材料とした次世代パワー半導体デバイスにおけるゲート酸化膜形成の研究開発向けとして100～200mmウェハ対応枚葉式プラズマALD(原子層堆積)装置「A

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