SBD内蔵SiC・MOSFETで低オン抵抗と高信頼性を両立=東芝デバイス〔BW〕

2017-08-24_00h03_35 IT総合
【ビジネスワイヤ】東芝デバイス&ストレージと東芝は、低オン抵抗と高信頼性を両立したSBD(ショットキーバリアダイオード)内蔵SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を開

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