Ge単結晶を10nm以下に超薄膜化することで電子移動度が飛躍的に向上 – 産総研

産業技術総合研究所(産総研)は6月5日、ゲルマニウム(Ge)の膜厚10nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発したと発表した。このナノメートルレベルの均一なGe超薄膜を絶縁膜で挟むと、Ge超薄膜中の電

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