世界初の238層4D NANDフラッシュメモリの量産をSK hynixが開始、前モデル比較でデータ転送速度は50%高速・エネルギー使用量は21%減・製造効率は34%向上
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現地時間の2023年6月8日、韓国の半導体製造企業・SK hynixが、世界初の238層512Gb(ギガビット：64GB)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュメモリの量
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