トランジスタ最先端！ RibbonFETに最適なゲート長とフィン厚が判明　IEDM 2024レポート

昨年12月7日～11日にかけ、サンフランシスコでIEDM2024が開催された。IEDM 2024の第4弾は、"Silicon RibbonFET CMOS at 6nm Gate Length"を紹介

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