酸化ハフニウム(HfO2)でフィンをカバーすると性能が改善、TMD半導体の実現に近づく　IEDM 2024レポート

IEDM 2024の第5弾は、酸化ハフニウム(HfO2)でフィンをカバーすることで性能を改善したという話である。
Source: 週刊アスキー

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