中央大学、3D NANDのエラー40%削減とデータ保持寿命の2.8倍増加を実現

　中央大学 理工学部 竹内健教授のグループは12月6日、大容量で低コストな3D NANDフラッシュメモリにおける信頼性劣化の原因を突き止め、それを改善する手法を発表した。

Source: ガジェッ

リンク元