３D NANDフラッシュメモリの電荷移動を抑制、エラー４０％削減とデータ保持寿命の２．８倍増加に成功

マーケティング

2017.12.06

2017年12月6日
中央大学
３D NANDフラッシュメモリの垂直方向の電荷移動を抑制することで、メモリエラー４０％削減とデータ保持寿命の２．８倍増加に成功
　中央大学理工学部教授竹内健のグ