東工大、半導体の少数キャリア寿命を正確に測定する評価方法を開発 IT総合 2018.06.25 東京工業大学(東工大)は、同大の研究グループが、ストライプ状に形成したpn接合ダイオードの電流-電圧特性を測定することにより、パワーデバイス用シリコンウエハーの少数キャリア寿命を抽出する新しい評価方法リンク元
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