日本TI、最大10kWの高電力アプリをサポートする600V GaN FETを発表 IT総合 2018.10.30 日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、最大10kWの高電力アプリケーション向けに、動作電圧600V、オン抵抗が50mΩと70mΩのGaN FETを集積した量産対応のパワー・ステージ製品ポートフリンク元
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