自動車の電源電圧を高精度化する方法 第6回 設計済み回路を用いたLDOの動作検証

○シミュレーションの結果
オン・セミコンダクターのI3T50テクノロジ(350nmスマート・パワー・テクノロジ)を採用し、表3に記載した主要特性を持つ、つまり極端な動作条件と素子のプロセスばらつき(

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