オフ電流を抑えた高性能ゲルマニウムトランジスタを作製 – ドレスデン工科大

ドレスデン工科大学とナノエレクトロニクス材料ラボ(NaMlab)の研究チームは、ゲルマニウム半導体を用いた高性能トランジスタを作製した。シリコントランジスタと比べて低電圧での高速動作が可能となっている

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