imecら、SiGe BiCMOSベースで100Gbaudを達成する技術を発表 – ISSCC 2020

半導体ハイテク研究機関のベルギーimecは、同国のゲント大学と共同でPAM-4変調を使用して消費電力700mWで最大100Gbaud(200Gb/s)の信号速度を達成する高速シリコンアナログタイムイン

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