東大など、低動作電圧かつ長寿命の酸化ハフニウム系強誘電体メモリを開発

東京大学(東大)と科学技術振興機構(JST)は6月1日、富士通セミコンダクターメモリソリューションとの共同研究により、0.7～1.2Vという低い動作電圧、10年のデータ保持時間と100兆回の書き換えが

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