産総研、次世代不揮発性メモリMRAMの3次元積層プロセス技術を開発

産業技術総合研究所(産総研)などは5月16日、次世代の不揮発性メモリであるとされる磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の3次元積層プロセス技術を開発したと発表した。
同成果は、産総研スピントロニク

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